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探照灯的发展史和LED照明的实现方法

  • 更新日期 - 2019年09月06日 17:56

作为我国战略性新兴产业之一,强光探照灯是一个学科跨度大、技术和应用更新快的行业,优势是能提升传统产业、促进节能减排、转变经济发展方式。当前,该领域人才需求量大,人才紧缺的问题日益凸显,现有工作人员还面临技术更新、掌握新工艺的压力。

探照灯的发展史和LED照明的实现方法

为保障人才的培养、考核、规范,建立对应的专项能力培养基础、考核机制、考核规范,国家强光探照灯工程研发及产业联盟组织龙头企业、行业专家、职业教育和培训工作者进行了企业调查和任务分析,建立了强光探照灯专业人员岗位能力素质模型,发布了针对专业工程师的考核标准和规范。

强光探照灯具有高效节能、寿命长、绿色环保、体积小、固体器件、点亮反应快、白光色温可调、光色质量好、低压直流驱动、易于集成和智能控制等优点,我司认为它是21世纪最有前景的新光源亚洲黄色小说,亚洲有码,亚洲色图片,亚洲黄色图片,亚洲情色网,夜夜春宵,将取代白织灯和荧光灯成为照明市场的主导,使照明技术面临一场新的革命。

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要实现LED照明,除了要求有较高的发光强度外还要求有全色波长,实现白光LED照明。但是在实现了红光、黄光发光的LED后很长一段时间科学家未能实现蓝光LED发光。

早在1970年代,美国科学家J.Pankove等人就已经发现GaN是一种良好的宽禁带半导体发光材料,并且成功制作了能发出蓝光的GaN肖特基管。但是,随后的十几年里,科学家们的努力研究一直没能突破制备p型GaN材料的难关。

探照灯的发展史和LED照明的实现方法

直到20世纪80年代末期,日本科学家Akasaki和Amano发现,可以先在异质衬底上沉积AIN结晶层,然后能够实现MOCVD(金属有机化学气相沉积)外延生长表面平整的GaN单晶薄膜。在此基础上,他们又发现可以通过电子束激活Mg渗杂的GaN材料中的空穴载流子实现p型GaN材料的制备,这是GaN基pn结发光二极管最为关键的基础技术突破。随后,GaN基LED技术从研究院所的实验室走进了工厂。日本Nichia公司的科学家实现了采用GaN结晶层实现高质量的外延层 MOCVD 生长,很快又发现可以通过热退火的方式激活 Mg 掺杂的GaN 实现p型导电。作为这一系列突破的成果,1993年Nichia公司中村修二推出了第一只高亮度GaN 蓝光LED,解决了自1962年LED问世以来高效蓝光缺失的问题,1996年又首次在蓝光LED上涂覆黄色荧光粉而实现白光发射开启了LED白光照明的新时代。

探照灯的发展史和LED照明的实现方法

目前实现强光探照灯有三种主要方法:(1)采用蓝色LED激发黄光荧光粉,实现二元混色白光:(2)利用紫外LED激发三基色荧光粉,由荧光粉发出的光合成白光:(3)基于三基色原理,利用红、绿、蓝三基色LED芯片合成白光。这几种获得白光LED照明的方法各有自己的优缺点。

获得LED 白光的几种方法及比较

探照灯的发展史和LED照明的实现方法

综合各项指标和成本,目前大规模使用的是基于蓝光芯片涂覆黄色荧光粉白光LED,但随着LED产品价格的降低以及显色指数等指标要求的提高,其他两种实现白光LED照明也在一些场所使用。